為了深入灌輸員工的思想，進一步深化"四個宗旨”，加強我司服務的優質和態度，加強我司質量的過關和卓越，加強我司價格的優惠和福利，加強我司規模的龐大和更新。從2月份開始，集中開展了這次UVCLED的工作，各單位高度重視，周密安排，在組織UVCLED的各項工作后，公司提高了思想境界和業務素質，促進了以客戶是上帝的宗旨為中心的重要理念。

紫外LED依據波長通?？梢詣澐譃閁VALED(320nm-4-0nm)、 UVBLED (280-320nm)UVCLED (200-28Onm)以及VUVLED (10-200nm)。UVC屬于不可見光，能破壞細菌或病毒的脫氧核糖核酸〈(Deoxyribonucleic Acid，DNA）或核糖核酸(RbonucleicAcid ,RNA),從而實現殺菌消毒的效果。在今年新冠肺炎疫情爆發的背景下，UVCLED產業迎來了蓬勃發展，但是很多人在使用UVCLED產品時卻發現本來應該看不到光線的UVC LED仍然發射出微弱的紫光，且每個器件之間的發光亮度也并不一致。

要解釋上述問題，就要從紫外LED的工作原理開始說起，典型的UVCLED芯片結構如圖一所示，可分為外延層和襯底兩大部分，其中外延層又可以細分為緩沖層、n型層、有源區、p型層和電極。而UVCLED的發光波長由有源區材料的能帶帶隙決定，三族氮化物半導體材料氮化鐐(GaN)、氮化鋁(AN)及氮化錮(InN)均為直接帶隙半導體材料，禁帶寬度分別為3.43，6.4，0.65eV，通過調節其合金成分，可以實現200-400nm紫外波段的發光光譜，如圖二所示，從而使得三族氮化物成為目前制備紫外LED的理想半導體材料。波長為275nm的UVCLED的發光材料為AlyGa1-.N三元混晶，且A組分高達47%，然而高A組分的氮化物半導體外延技術仍不成熟，存在基底與AIGaN的晶格失配問題、A組分外延過程中的低遷移率問題和量子阱中Al組分壘區空穴與電子復合效率低的問題;同時，空穴注入層中的p型Mg摻雜電離能太高導致了有效空穴密度不足。以上幾個問題不僅導致了芯片量子效率的下降，同時將引起芯片電致發光光譜中出現可見光波段的寄生譜峰，即點亮UVCLED器件后能看到微弱的紫光的問題。

如圖下圖所示，芯片主波長為275nm，但是在主峰兩側仍存在高度較低的寄生譜峰。計算后可得，芯片的光功率為2.835mW，但是在波長入>30nm的可見光區域仍存在0.124mW的光功率，占總光功率的4.37%，因此使用該芯片制作的UVCLED產品使用時能看到微弱的紫光。同時，由于芯片在制造過程中A組分摻雜時的缺陷程度不同，導致寄生譜峰的光功率也并不一致，因此不同燈珠之間的可見紫光亮度也存在差異。

以上就是UVCLED可見光來源的解釋，可見燈珠發射的可見光與器件質量無關，而是目前芯片制造工藝的限制。同時，UVCLED中95%以上光功率仍通過275nm附近波段發射，器件的殺菌消毒效果并未受到影響。