目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法，這種方法的引用是基于LED外延生長基本原理，LED外延生長的基本原理是在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和SiC，Si）上，氣態物質In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜

生產制作

LED外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品（電壓偏差很大，波長偏短或偏長等）。LED良品的外延片就要開始做電極（P極，N極），接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，也就是形成led晶片（方片）。然后還要進行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些參數不符合要求），就不用來做方片，就直接做電極（P極，N極），也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片（這里面也有好東西，如方片等）

半導體制造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準PW所不具有的某些電學特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

歷史上，外延片是由Si片制造商生產并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm（150mm直徑片和725μm（200mm片）。

　　外延沉積既可（同時）一次加工多片，也可加工單片。單片反應器可生產出質量最好的外延層（厚度、電阻率均勻性好、缺陷少）；這種外延片用于150mm“前沿”產品和所有重要200mm產品的生產。

　　LED外延產品應用于4個方面，CMOS互補金屬氧化物半導體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產品是外延片的最大應用領域，并被IC制造商用于不可恢復器件工藝，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲器應用方面的閃速存儲器和DRAM（動態隨機存取存儲器）。分立半導體用于制造要求具有精密Si特性的元件。“奇異”（exotic）半導體類包含一些特種產品,它們要用非Si材料，其中許多要用化合物半導體材料并入外延層中。掩埋層半導體利用雙極晶體管元件內重摻雜區進行物理隔離，這也是在外延加工中沉積的。

　　目前，200mm晶片中，外延片占1/3。2000年，包括掩埋層在內，用于邏輯器件的CMOS占所有外延片的69[%]，DRAM占11[%]，分立器件占20[%]。到2005年，CMOS邏輯將占55[%]，DRAM占30[%]，分立器件占15[%]。